dopaje tipo N	resultado de incorporar una impresa con más electrones de Valencia	DpN
intrínseco	a los electrones de vale cus que no son producto de alguna impureza y absorben energía asumiendo un estado libre	in, dentro
arsenurio de galio	material que presenta mejor movilidad y es la mejor opción para dispositivos electrónicos	arsenurio de galio, silicio o germanio
1ev	energía necesaria para mover una partícula eléctrica entre una diferencia de potencial de 1v	1.6*10^19J
región de empobrecimiento	es donde ocurre la difusión de los portadores, se forma un campo electrolítico y se ensancha o se reduce en función de la polarización
voltaje zener	es un punto en la polarización de un diodo demasiado negativo el cual incrementa la energía cinética de los portadores minoritarios hasta alcanzar la energía para ionizar el material y establecer una corriente de avalancha
voltaje de funcionamiento	polarización en dónde adquiere la energía cinética para atravesar la union y producir un creciemito exponencial de la corriente
voltaje inverso pico	polarización inversa que al alcanzar la energía suficiente para atravesar la unión produce corriente de avalancha
corriente de saturación inversa	es un flujo de portadores minoritarios que puede aumentar con aumentos de temperatura
dopaje tipo P	es el resultado de incorporar impurezas con menos electrones de valencia
emisor	terminal que se encuentra mayormente dopada en un transistor
terminal que al momento de su construcción se le incorporar un material resistivo para dificultar el paso de la corriente eléctrica	base
región o polarización característica de la dependencia entre la corriente de emisor y la corriente de colector	polarización actuación u operación
polarización de Veb y Vcb mantiene una polarización directa	polarización de saturación
relación entre Ib y Ic	ganancia B
NPN	unión de diodos que comparten anodo
PNP	unión de diodos que comparten catodos
configuración que amplifica un voltaje y la corriente en un transistor	emisor común
base común	configuración que hace que la corriente de emisor dependa de la corriente de colector y a su vez dependa de la corriente de base
relación entre Ic y Ie	factor de amplificación alfa

Descubre

Crear Tarjetas

Acerca de Nosotros

Explore Tarjetas

Comparta este Set de Tarjetas de Aprendizaje

Electrónica

Cómo estudiar sus tarjetas

Rango de Cartas a estudiar

20 Cartas en este set